サムスン、HBM5比10倍密度のzHBMメモリを発表

サムスンは2026年8月5日、サンタクララで開催された「Future of Memory and Storage」で次世代3Dメモリ技術を発表した。同社はzHBM、V10 BV-NAND、zNAND-O、LPDDR5X-PIMのコンセプトモデルを公開し、AIとエッジコンピューティング向けの性能と密度の向上を目指す。

新しいzHBMアーキテクチャは、HBMメモリをAIアクセラレータの上に垂直に積層し、現在のHBM5と比較して性能を最大8倍、メモリ密度を10倍以上に高め、エネルギー効率を3倍改善する。V10 BV-NANDは400層以上を積層し、従来のV9世代と比べて約58%の密度向上を達成。読み書きとI/O性能も強化されている。

これらの進歩が重要なのは、サムスンとSKハイニックスがメモリ生産を支配しており、AIデータセンターからの需要が供給を圧迫しているためだ。業界の観察によると、その結果生じる不足がゲーム機、スマートフォン、ノートパソコンなど民生用電子機器の価格上昇を招いている。

サムスンはまた、エッジAI向けのV-NANDソリューションであるzNAND-Oを発表。高い空間効率、改善されたI/O性能、低レイテンシを兼ね備える。さらに、メモリ内でデータ処理を行う業界初のLPDDRメモリ「LPDDR5X-PIM」も披露した。

今回の発表は、サムスンが確立してきたV-NANDとHBMの製品ラインに基づく。V9世代に続くV10 BV-NAND、そしてHBM5をベースにしたzHBMコンセプトだ。ボンディングV-NANDアーキテクチャと次世代ウェハーボンディング技術が、層数と密度の向上を可能にしている。

サムスンのAI中心のメモリ戦略は、新規容量の大半が民生デバイスではなくデータセンターに供給されることを示唆している。同社のコンセプトモデルは、高度なメモリ供給がAI分野にさらに集中し、他の電子機器の価格圧力が長期化する可能性のある開発経路を示している。