Samsung zHBM ile HBM5'ten 10 kat yoğun bellek sunuyor

Samsung, 5 Ağustos 2026'da Santa Clara'da düzenlenen Future of Memory and Storage fuarında yeni nesil 3D bellek teknolojilerini duyurdu. Şirket, yapay zeka ve uç bilişim için performans ve yoğunluk kazanımları hedefleyen zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O ve LPDDR5X-PIM konsept modellerini tanıttı.

Yeni zHBM mimarisi, HBM belleğini yapay zeka hızlandırıcılarının üzerine dikey olarak istifleyerek performansı sekiz kata kadar artırıyor ve mevcut HBM5'e kıyasla bellek yoğunluğunu on kattan fazla yükseltirken enerji verimliliğini üç kat iyileştiriyor. V10 BV-NAND, 400'den fazla katman istifleyerek önceki V9 nesline göre yaklaşık yüzde 58 daha yüksek yoğunluk sağlıyor ve okuma, yazma ile G/Ç performansını artırıyor.

Bu gelişmeler önemli çünkü Samsung ve SK Hynix bellek üretiminde hakim durumda ve yapay zeka veri merkezlerinin talebi arzı zorluyor. Sektör gözlemlerine göre, ortaya çıkan kıtlıklar oyun konsolları, akıllı telefonlar ve dizüstü bilgisayarlar dahil tüketici elektroniği fiyatlarını yukarı çekiyor.

Samsung ayrıca, yüksek alan verimliliği, gelişmiş G/Ç performansı ve düşük gecikme süresini birleştiren uç yapay zeka için bir V-NAND çözümü olan zNAND-O'yu tanıttı. Ek olarak şirket, verimliliği artırmak için veri işlemeyi belleğin içinde gerçekleştiren, bellek içi işleme teknolojisine sahip sektörün ilk LPDDR belleği olan LPDDR5X-PIM'i sergiledi.

Bu duyurular, Samsung'un yerleşik V-NAND ve HBM hatları üzerine inşa ediliyor. Şirketin V9 nesli, yeni V10 BV-NAND'den önce geliyor ve HBM5 teknolojisi, zHBM konsepti için temel oluşturuyor. Bonding V-NAND mimarisi ve yeni nesil gofret bağlama, artan katman sayıları ve yoğunluk için temel etkenler.

Samsung'un yapay zeka odaklı belleğe odaklanması, yeni kapasitenin çoğunun tüketici cihazlarından ziyade veri merkezlerine hizmet edeceğini gösteriyor. Şirketin konsept modelleri, gelişmiş bellek arzını yapay zeka sektöründe daha da yoğunlaştırabilecek ve diğer elektronikler üzerindeki fiyat baskılarını potansiyel olarak uzatabilecek bir geliştirme yoluna işaret ediyor.