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Samsung presenta zHBM, memoria impilata 10 volte più densa di HBM5

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Samsung presenta zHBM, memoria impilata 10 volte più densa di HBM5
Photo: Umberto · Unsplash
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Samsung ha annunciato le sue tecnologie di memoria 3D di nuova generazione al Future of Memory and Storage show di Santa Clara il 5 agosto 2026. L'azienda ha svelato i modelli concettuali per zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O e LPDDR5X-PIM, puntando a guadagni in termini di prestazioni e densità per l'AI e l'edge computing.

La nuova architettura zHBM impila la memoria HBM verticalmente sopra gli acceleratori AI, aumentando le prestazioni fino a otto volte e la densità di memoria di oltre dieci volte rispetto all'attuale HBM5, migliorando al contempo l'efficienza energetica di tre volte. La V10 BV-NAND impila più di 400 strati, raggiungendo una densità superiore di circa il 58% rispetto alla precedente generazione V9, con prestazioni migliorate in lettura, scrittura e I/O.

Questi progressi sono importanti perché Samsung e SK Hynix dominano la produzione di memoria, e la domanda dei data center AI sta mettendo a dura prova l'offerta. Le conseguenti carenze stanno facendo salire i prezzi per l'elettronica di consumo, inclusi console di gioco, smartphone e laptop, secondo osservazioni del settore.

Samsung ha anche introdotto zNAND-O, una soluzione V-NAND per l'edge AI che combina elevata efficienza spaziale, prestazioni I/O migliorate e bassa latenza. Inoltre, l'azienda ha mostrato LPDDR5X-PIM, la prima memoria LPDDR con tecnologia processing-in-memory, che esegue l'elaborazione dei dati all'interno della memoria stessa per migliorare l'efficienza.

Gli annunci si basano sulle linee consolidate V-NAND e HBM di Samsung. La generazione V9 dell'azienda ha preceduto la nuova V10 BV-NAND, e la sua tecnologia HBM5 funge da base per il concetto zHBM. L'architettura bonding V-NAND e il bonding dei wafer di prossima generazione sono fattori chiave per l'aumento del numero di strati e della densità.

L'attenzione di Samsung sulla memoria incentrata sull'AI suggerisce che la maggior parte della nuova capacità servirà i data center piuttosto che i dispositivi di consumo. I modelli concettuali dell'azienda indicano un percorso di sviluppo che potrebbe concentrare ulteriormente l'offerta di memoria avanzata nel settore AI, prolungando potenzialmente le pressioni sui prezzi per altri prodotti elettronici.

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