Samsung präsentiert zHBM-Speicher mit zehnfacher Dichte gegenüber HBM5

Samsung hat auf der Future of Memory and Storage in Santa Clara am 5. August 2026 seine nächste Generation von 3D-Speichertechnologien vorgestellt. Das Unternehmen zeigte Konzeptmodelle für zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O und LPDDR5X-PIM, die auf Leistungs- und Dichtegewinne für KI und Edge-Computing abzielen.

Die neue zHBM-Architektur stapelt HBM-Speicher vertikal über KI-Beschleunigern und steigert die Leistung um bis zu das Achtfache sowie die Speicherdichte um mehr als das Zehnfache im Vergleich zum aktuellen HBM5 – bei dreifach verbesserter Energieeffizienz. V10 BV-NAND stapelt über 400 Schichten und erreicht eine etwa 58 Prozent höhere Dichte als die vorherige V9-Generation, mit verbesserter Lese-, Schreib- und I/O-Leistung.

Diese Fortschritte sind bedeutsam, da Samsung und SK Hynix die Speicherproduktion dominieren und die Nachfrage aus KI-Rechenzentren das Angebot strapaziert. Die daraus resultierenden Engpässe treiben laut Branchenbeobachtungen die Preise für Unterhaltungselektronik wie Spielkonsolen, Smartphones und Laptops in die Höhe.

Samsung stellte außerdem zNAND-O vor, eine V-NAND-Lösung für Edge-KI, die hohe Platzeffizienz, verbesserte I/O-Leistung und geringe Latenz kombiniert. Zudem präsentierte das Unternehmen LPDDR5X-PIM, den ersten LPDDR-Speicher mit Processing-in-Memory-Technologie, der Datenverarbeitung direkt im Speicher durchführt, um die Effizienz zu steigern.

Die Ankündigungen bauen auf Samsungs etablierten V-NAND- und HBM-Linien auf. Der V9-Generation folgt nun das neue V10 BV-NAND, und die HBM5-Technologie dient als Basis für das zHBM-Konzept. Die Bonding-V-NAND-Architektur und das Wafer-Bonding der nächsten Generation sind entscheidende Wegbereiter für die erhöhte Schichtzahl und Dichte.

Samsungs Fokus auf KI-zentrierten Speicher deutet darauf hin, dass der Großteil der neuen Kapazitäten eher Rechenzentren als Verbrauchergeräten zugutekommen wird. Die Konzeptmodelle zeigen einen Entwicklungspfad, der das Angebot an fortschrittlichem Speicher weiter im KI-Sektor konzentrieren und den Preisdruck bei anderen Elektronikprodukten verlängern könnte.