三星发布zHBM内存堆叠技术，密度达HBM5十倍

三星于2026年8月5日在圣克拉拉举行的“未来内存与存储”展会上公布了其下一代3D内存技术。公司展示了zHBM、V10 BV-NAND、zNAND-O和LPDDR5X-PIM的概念模型，旨在提升AI和边缘计算的性能与密度。

新的zHBM架构将HBM内存垂直堆叠在AI加速器之上，性能提升最高达8倍，内存密度相比现有HBM5提高逾10倍，同时能效提升3倍。V10 BV-NAND堆叠超过400层，密度比上一代V9提升约58%，并增强了读写和I/O性能。

这些进展意义重大，因为三星和SK海力士主导内存生产，而AI数据中心的需求正使供应紧张。行业观察显示，由此产生的短缺正推高消费电子产品的价格，包括游戏机、智能手机和笔记本电脑。

三星还推出了zNAND-O，一种面向边缘AI的V-NAND解决方案，兼具高空间效率、改进的I/O性能和低延迟。此外，公司展示了LPDDR5X-PIM，这是业界首款采用存内计算技术的LPDDR内存，可在内存内部直接进行数据处理以提高效率。

这些发布基于三星已有的V-NAND和HBM产品线。公司的V9代产品先于新的V10 BV-NAND，其HBM5技术则是zHBM概念的基础。键合V-NAND架构和下一代晶圆键合技术是实现更高层数和密度的关键。

三星对AI中心内存的专注表明，新增产能大部分将服务于数据中心而非消费设备。公司的概念模型显示了一条发展路径，可能进一步将先进内存供应集中于AI领域，从而可能延长其他电子产品的价格压力。