Samsung dévoile zHBM, une mémoire 10x plus dense que HBM5

Samsung a annoncé ses technologies de mémoire 3D de nouvelle génération lors du salon Future of Memory and Storage à Santa Clara le 5 août 2026. L'entreprise a présenté des modèles conceptuels pour zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O et LPDDR5X-PIM, visant des gains de performance et de densité pour l'IA et l'informatique de périphérie.

La nouvelle architecture zHBM empile la mémoire HBM verticalement au-dessus des accélérateurs IA, augmentant les performances jusqu'à huit fois et la densité de mémoire de plus de dix fois par rapport au HBM5 actuel, tout en améliorant l'efficacité énergétique de trois fois. Le V10 BV-NAND empile plus de 400 couches, atteignant une densité environ 58 % supérieure à celle de la génération précédente V9, avec des performances de lecture, d'écriture et d'E/S améliorées.

Ces avancées sont importantes car Samsung et SK Hynix dominent la production de mémoire, et la demande des centres de données IA met à rude épreuve l'offre. Les pénuries qui en résultent font grimper les prix des produits électroniques grand public, notamment les consoles de jeux, les smartphones et les ordinateurs portables, selon les observations de l'industrie.

Samsung a également présenté zNAND-O, une solution V-NAND pour l'IA de périphérie qui combine une efficacité spatiale élevée, des performances d'E/S améliorées et une faible latence. De plus, l'entreprise a dévoilé LPDDR5X-PIM, la première mémoire LPDDR dotée de la technologie de traitement en mémoire, qui effectue le traitement des données dans la mémoire elle-même pour améliorer l'efficacité.

Ces annonces s'appuient sur les gammes V-NAND et HBM établies de Samsung. La génération V9 de l'entreprise a précédé le nouveau V10 BV-NAND, et sa technologie HBM5 sert de base au concept zHBM. L'architecture V-NAND à liaison et le collage de plaquettes de nouvelle génération sont des facteurs clés pour l'augmentation du nombre de couches et de la densité.

L'accent mis par Samsung sur la mémoire centrée sur l'IA suggère que la majeure partie de la nouvelle capacité servira les centres de données plutôt que les appareils grand public. Les modèles conceptuels de l'entreprise indiquent une voie de développement qui pourrait concentrer davantage l'offre de mémoire avancée dans le secteur de l'IA, prolongeant potentiellement les pressions sur les prix pour d'autres produits électroniques.