سامسونغ تكشف عن zHBM بكثافة أعلى 10 مرات من HBM5

أعلنت سامسونغ عن تقنيات الذاكرة ثلاثية الأبعاد من الجيل التالي في معرض مستقبل الذاكرة والتخزين في سانتا كلارا في 5 أغسطس 2026. وكشفت الشركة عن نماذج مفاهيمية لـ zHBM وV10 BV-NAND وzNAND-O وLPDDR5X-PIM، مستهدفة مكاسب في الأداء والكثافة للحوسبة الذكية والحوسبة الطرفية.

تعمل بنية zHBM الجديدة على تكديس ذاكرة HBM عمودياً فوق مسرعات الذكاء الاصطناعي، مما يعزز الأداء حتى ثماني مرات ويزيد كثافة الذاكرة بأكثر من عشرة أضعاف مقارنة بـ HBM5 الحالية، مع تحسين كفاءة الطاقة ثلاث مرات. أما V10 BV-NAND فتحتوي على أكثر من 400 طبقة، محققة كثافة أعلى بنحو 58% مقارنة بالجيل السابق V9، مع تحسين أداء القراءة والكتابة والإدخال والإخراج.

هذه التطورات مهمة لأن سامسونغ وسك هاينيكس تهيمنان على إنتاج الذاكرة، والطلب من مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي يضغط على العرض. ووفقاً لملاحظات الصناعة، فإن النقص الناتج يؤدي إلى ارتفاع أسعار الإلكترونيات الاستهلاكية، بما في ذلك أجهزة الألعاب والهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة.

كما قدمت سامسونغ zNAND-O، وهو حل V-NAND للذكاء الاصطناعي الطرفي يجمع بين كفاءة المساحة العالية وأداء الإدخال والإخراج المحسن وزمن الوصول المنخفض. بالإضافة إلى ذلك، عرضت الشركة LPDDR5X-PIM، وهي أول ذاكرة LPDDR في الصناعة بتقنية المعالجة داخل الذاكرة، والتي تنفذ معالجة البيانات داخل الذاكرة نفسها لتحسين الكفاءة.

تبني هذه الإعلانات على خطوط سامسونغ القائمة في V-NAND وHBM. فقد سبق الجيل V9 تقنية V10 BV-NAND الجديدة، وتعمل تقنية HBM5 كخط أساس لمفهوم zHBM. وتعد بنية V-NAND المترابطة وربط الرقاقات من الجيل التالي عوامل تمكين رئيسية لزيادة عدد الطبقات والكثافة.

يشير تركيز سامسونغ على الذاكرة الموجهة للذكاء الاصطناعي إلى أن معظم السعة الجديدة ستخدم مراكز البيانات بدلاً من الأجهزة الاستهلاكية. وتشير النماذج المفاهيمية للشركة إلى مسار تطوير قد يزيد من تركيز إمدادات الذاكرة المتقدمة في قطاع الذكاء الاصطناعي، مما قد يطيل ضغوط الأسعار على الإلكترونيات الأخرى.