Samsung prezentuje zHBM: pamięć 10x gęstsza niż HBM5

Samsung ogłosił swoje nowe technologie pamięci 3D na targach Future of Memory and Storage w Santa Clara 5 sierpnia 2026 r. Firma zaprezentowała modele koncepcyjne zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O i LPDDR5X-PIM, stawiając na wzrost wydajności i gęstości dla AI i przetwarzania brzegowego.

Nowa architektura zHBM układa pamięć HBM pionowo nad akceleratorami AI, zwiększając wydajność nawet ośmiokrotnie i gęstość ponad dziesięciokrotnie w porównaniu z obecną generacją HBM5, przy jednoczesnej trzykrotnej poprawie efektywności energetycznej. V10 BV-NAND składa się z ponad 400 warstw, osiągając około 58 procent większą gęstość niż poprzednia generacja V9, z lepszą wydajnością odczytu, zapisu i operacji wejścia-wyjścia.

Te postępy mają znaczenie, ponieważ Samsung i SK Hynix dominują w produkcji pamięci, a popyt ze strony centrów danych AI obciąża podaż. Powstałe niedobory podnoszą ceny elektroniki użytkowej, w tym konsol do gier, smartfonów i laptopów, jak wynika z obserwacji branży.

Samsung wprowadził również zNAND-O, rozwiązanie V-NAND dla AI brzegowego, łączące wysoką efektywność przestrzenną, lepszą wydajność wejścia-wyjścia i niskie opóźnienia. Dodatkowo firma zaprezentowała LPDDR5X-PIM, pierwszą na świecie pamięć LPDDR z technologią przetwarzania w pamięci, która wykonuje operacje danych bezpośrednio w pamięci, zwiększając efektywność.

Ogłoszenia opierają się na istniejących liniach V-NAND i HBM firmy Samsung. Generacja V9 poprzedza nową V10 BV-NAND, a technologia HBM5 stanowi bazę dla koncepcji zHBM. Architektura bonding V-NAND i nowej generacji łączenie płytek są kluczowymi czynnikami umożliwiającymi zwiększenie liczby warstw i gęstości.

Skupienie Samsunga na pamięci zorientowanej na AI sugeruje, że większość nowej pojemności trafi do centrów danych, a nie do urządzeń konsumenckich. Modele koncepcyjne wskazują na ścieżkę rozwoju, która może jeszcze bardziej skoncentrować podaż zaawansowanej pamięci w sektorze AI, potencjalnie przedłużając presję cenową na inne elektroniki.