Samsung presenta zHBM, 10 veces más denso que HBM5

Samsung anunció sus tecnologías de memoria 3D de próxima generación en el evento Future of Memory and Storage celebrado en Santa Clara el 5 de agosto de 2026. La compañía presentó modelos conceptuales de zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O y LPDDR5X-PIM, orientados a mejorar el rendimiento y la densidad para la IA y la computación en el borde.

La nueva arquitectura zHBM apila memoria HBM verticalmente sobre los aceleradores de IA, lo que multiplica por ocho el rendimiento y aumenta la densidad de memoria más de diez veces en comparación con la actual HBM5, además de triplicar la eficiencia energética. La V10 BV-NAND apila más de 400 capas, logrando una densidad aproximadamente un 58% mayor que la generación anterior V9, con un mejor rendimiento de lectura, escritura y E/S.

Estos avances son relevantes porque Samsung y SK Hynix dominan la producción de memoria, y la demanda de los centros de datos de IA está tensionando el suministro. Según observaciones del sector, la escasez resultante está elevando los precios de los productos electrónicos de consumo, incluidas consolas de videojuegos, teléfonos inteligentes y portátiles.

Samsung también presentó zNAND-O, una solución V-NAND para IA en el borde que combina alta eficiencia de espacio, mejor rendimiento de E/S y baja latencia. Además, la compañía mostró LPDDR5X-PIM, la primera memoria LPDDR con tecnología de procesamiento en memoria, que realiza el procesamiento de datos dentro de la propia memoria para mejorar la eficiencia.

Estos anuncios se basan en las líneas establecidas de V-NAND y HBM de Samsung. La generación V9 precedió a la nueva V10 BV-NAND, y su tecnología HBM5 sirve como base para el concepto zHBM. La arquitectura de V-NAND con unión y el unión de obleas de próxima generación son habilitadores clave para el aumento del número de capas y la densidad.

El enfoque de Samsung en memoria centrada en IA sugiere que la mayor parte de la nueva capacidad se destinará a centros de datos en lugar de dispositivos de consumo. Sus modelos conceptuales indican una trayectoria de desarrollo que podría concentrar aún más el suministro de memoria avanzada en el sector de la IA, prolongando potencialmente las presiones sobre los precios de otros productos electrónicos.