Samsung представляет zHBM — память в 10 раз плотнее HBM5

Компания Samsung анонсировала свои технологии 3D-памяти следующего поколения на выставке Future of Memory and Storage в Санта-Кларе 5 августа 2026 года. Были представлены концептуальные модели zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O и LPDDR5X-PIM, нацеленные на повышение производительности и плотности для ИИ и периферийных вычислений.

Новая архитектура zHBM размещает память HBM вертикально над ИИ-ускорителями, что повышает производительность до восьми раз и увеличивает плотность памяти более чем в десять раз по сравнению с текущей HBM5, а также втрое улучшает энергоэффективность. V10 BV-NAND насчитывает более 400 слоёв, обеспечивая примерно на 58% большую плотность, чем предыдущее поколение V9, с улучшенной производительностью чтения, записи и ввода-вывода.

Эти достижения важны, поскольку Samsung и SK Hynix доминируют в производстве памяти, а спрос со стороны ИИ-центров обработки данных создаёт дефицит. Возникающий дефицит ведёт к росту цен на потребительскую электронику, включая игровые консоли, смартфоны и ноутбуки, как показывают отраслевые наблюдения.

Samsung также представила zNAND-O — решение V-NAND для периферийного ИИ, сочетающее высокую пространственную эффективность, улучшенную производительность ввода-вывода и низкую задержку. Кроме того, компания продемонстрировала LPDDR5X-PIM — первую в отрасли память LPDDR с технологией вычислений в памяти, которая выполняет обработку данных непосредственно в памяти для повышения эффективности.

Эти анонсы развивают существующие линейки V-NAND и HBM компании Samsung. Поколение V9 предшествовало новой V10 BV-NAND, а технология HBM5 служит базой для концепции zHBM. Архитектура bonding V-NAND и склейка пластин следующего поколения являются ключевыми факторами, обеспечивающими увеличение числа слоёв и плотности.

Сосредоточенность Samsung на памяти для ИИ позволяет предположить, что большая часть новых мощностей будет обслуживать центры обработки данных, а не потребительские устройства. Концептуальные модели указывают на путь развития, который может ещё больше сконцентрировать предложение передовой памяти в секторе ИИ, что потенциально продлит давление на цены для другой электроники.