Samsung Rilis zHBM, Tumpukan Memori 10x Lebih Padat dari HBM5

Samsung mengumumkan teknologi memori 3D generasi terbarunya di ajang Future of Memory and Storage di Santa Clara pada 5 Agustus 2026. Perusahaan memamerkan model konsep untuk zHBM, V10 BV-NAND, zNAND-O, dan LPDDR5X-PIM, yang menargetkan peningkatan performa dan kepadatan untuk komputasi AI dan edge.

Arsitektur zHBM yang baru menumpuk memori HBM secara vertikal di atas akselerator AI, meningkatkan performa hingga delapan kali lipat dan kepadatan memori lebih dari sepuluh kali lipat dibandingkan HBM5 saat ini, sekaligus meningkatkan efisiensi energi tiga kali lipat. V10 BV-NAND menumpuk lebih dari 400 lapisan, mencapai kepadatan sekitar 58 persen lebih tinggi dari generasi V9 sebelumnya, dengan peningkatan performa baca, tulis, dan I/O.

Kemajuan ini penting karena Samsung dan SK Hynix mendominasi produksi memori, dan permintaan dari pusat data AI membebani pasokan. Kelangkaan yang dihasilkan mendorong kenaikan harga untuk elektronik konsumen, termasuk konsol game, ponsel pintar, dan laptop, menurut pengamatan industri.

Samsung juga memperkenalkan zNAND-O, solusi V-NAND untuk AI edge yang menggabungkan efisiensi ruang tinggi, peningkatan performa I/O, dan latensi rendah. Selain itu, perusahaan memamerkan LPDDR5X-PIM, memori LPDDR pertama di industri dengan teknologi processing-in-memory, yang melakukan pemrosesan data di dalam memori itu sendiri untuk meningkatkan efisiensi.

Pengumuman ini melanjutkan lini V-NAND dan HBM Samsung yang sudah mapan. Generasi V9 perusahaan mendahului V10 BV-NAND yang baru, dan teknologi HBM5 menjadi dasar untuk konsep zHBM. Arsitektur bonding V-NAND dan wafer bonding generasi berikutnya menjadi kunci untuk peningkatan jumlah lapisan dan kepadatan.

Fokus Samsung pada memori yang berpusat pada AI menunjukkan bahwa sebagian besar kapasitas baru akan melayani pusat data, bukan perangkat konsumen. Model konsep perusahaan menunjukkan jalur pengembangan yang dapat lebih memusatkan pasokan memori canggih di sektor AI, berpotensi memperpanjang tekanan harga untuk elektronik lainnya.