长鑫存储沪市首日暴涨466%，但HBM技术差距仍存

2026年7月27日，长鑫存储（CXMT）在上海首日上市交易中股价飙升近466%，并于7月31日再涨逾5%。

投资者的热情激发了对中国半导体产业推进的乐观情绪，但分析师警告称，缩小技术差距仍是真正的考验。

在高带宽内存（HBM）这一关键的AI技术领域，三星电子、SK海力士和美光占据绝对领先地位。

MST Financial高级分析师David Gibson表示，此次上市并未改变行业前景，因为需求仍超过供应。

长鑫存储无法获得极紫外（EUV）光刻机，这些设备受美国出口管制限制，迫使其生产同等内存所需晶圆比竞争对手多约30%。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang表示，该公司计划于2026年底在上海新工厂开始生产HBM。

初期产品预计为HBM3E或HBM3，这将使公司落后竞争对手一至两代，因为竞争对手正转向HBM4和HBM4E。

三星于7月30日表示，已扩大HBM4的销售，并向主要客户交付了业界首款HBM4E样品。

Gibson警告称，长鑫存储的HBM良率将较低，产量有限，使其落后于要求高容量和高速度的竞争对手。

TrendForce分析师Ellie Wang表示，即使没有EUV，性能差距也可能明显存在。

Gibson还预测，长鑫存储将获得全球DRAM市场份额，增长主要来自腾讯、字节跳动和阿里巴巴等中国客户。

Counterpoint Research的市场数据显示，三星以38%的份额领跑DRAM市场，SK海力士以29%紧随其后，美光占22%，长鑫存储占8%。

Wang补充说，长鑫存储为许多中国智能手机品牌供应存储芯片，但仍专注于主流和中端市场。

Hwang描述了两种情景：看涨情景是长鑫存储技术追赶，看跌情景是未能克服设备和HBM障碍。

Wang总结道，在AI驱动的内存需求正常化之前，大幅缩小差距将具有挑战性，尽管长鑫存储继续开发新工艺和产品。