قفزة 466% لأسهم CXMT في شنغهاي لكن فجوة HBM باقية

قفزت أسهم شركة CXMT بنحو 466% في أول يوم تداول لها في بورصة شنغهاي في 27 يوليو 2026، ثم ارتفعت بأكثر من 5% في 31 يوليو.

أشعل حماس المستثمرين التفاؤل بشأن مساعي الصين في صناعة أشباه الموصلات، لكن المحللين حذروا من أن تضييق الفجوة التقنية يظل الاختبار الحقيقي.

في ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM)، وهي تقنية حيوية للذكاء الاصطناعي، تحتفظ سامسونج للإلكترونيات وسك هاينكس ومايكرون بموقع ريادي واضح.

قال ديفيد جيبسون، المحلل الأول في MST Financial، إن الإدراج لا يغير توقعات القطاع لأن الطلب ما زال يتجاوز العرض.

تفتقر CXMT إلى الوصول إلى أجهزة الطباعة الحجرية بالضوء فوق البنفسجي الشديد (EUV)، الخاضعة لقيود التصدير الأمريكية، مما يضطرها لاستخدام نحو 30% من الرقاقات أكثر من منافسيها لإنتاج نفس الذاكرة.

تهدف الشركة إلى إنتاج ذاكرة HBM بحلول نهاية عام 2026 في مصنع جديد في شنغهاي، حسبما قال إم إس هوانغ، مدير الأبحاث في Counterpoint Research.

من المتوقع أن تكون المنتجات الأولية من نوع HBM3E أو HBM3، مما يضع الشركة على بعد جيل أو جيلين من المنافسين الذين ينتقلون إلى HBM4 وHBM4E.

قالت سامسونج في 30 يوليو إنها وسعت مبيعات HBM4 وشحنت أول عينات HBM4E في الصناعة إلى كبار العملاء.

حذر جيبسون من أن إنتاجية CXMT في HBM ستكون منخفضة والكميات محدودة، مما يبقيها خلف منافسين يطلبون سعة وسرعة عاليتين.

قالت إيلي وانغ، المحللة في TrendForce، إنه حتى بدون EUV، من المرجح أن تستمر فجوة أداء ملحوظة.

توقع جيبسون أيضًا أن تكسب CXMT حصة في سوق DRAM العالمي، مع نمو يأتي أساسًا من عملاء صينيين مثل تينسنت وByteDance وعلي بابا.

تظهر بيانات السوق من Counterpoint Research أن سامسونج تقود سوق DRAM بحصة 38%، تليها سك هاينكس بنسبة 29%، ومايكرون بنسبة 22%، وCXMT بنسبة 8%.

أضافت وانغ أن CXMT تزود رقائق الذاكرة للعديد من العلامات التجارية الصينية للهواتف الذكية لكنها تركز على القطاعات الرئيسية والمتوسطة.

وصف هوانغ سيناريوهين: سيناريو متفائل حيث تلحق CXMT بالتقنية، وسيناريو متشائم حيث تفشل في تجاوز عقبات المعدات وHBM.

خلصت وانغ إلى أنه سيكون من الصعب تضييق الفجوة بشكل كبير قبل أن يعود الطلب على الذاكرة المدعوم بالذكاء الاصطناعي إلى طبيعته، رغم أن CXMT تواصل تطوير عمليات ومنتجات جديدة.