CXMT startet Serienfertigung von G5-DRAM mit 11,95 nm

Der chinesische Speicherhersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat am 20. September 2026 mitgeteilt, dass seine DRAM-Plattform der fünften Generation mit dem Namen G5 in die Serienfertigung gegangen ist. Die Ankündigung erfolgte auf der World Manufacturing Convention 2026 in Hefei in der ostchinesischen Provinz Anhui; die Einzelheiten bestätigte das Unternehmen gegenüber der Global Times. Zwei darauf basierende LPDDR5X-Produkte werden bereits in großen Stückzahlen ausgeliefert: 24-Gigabit-Chips in 496- und 245-Ball-Gehäusen, gedacht für Smartphones der Mittel- und Oberklasse sowie für tragbare Unterhaltungselektronik. Jeder Chip fasst 50 Prozent mehr als die 16-Gb-Bausteine der Vorgängergeneration.

Laut CXMT erreicht G5 im Speicherfeld einen Halbabstand der aktiven Fläche von 11,95 Nanometern, und zwar mit selbstjustierender Vierfachstrukturierung (SAQP) – einem Verfahren, das feine Strukturen über mehrere Belichtungen statt in einem Durchgang erzeugt. Das Seitenverhältnis der Feldkondensatoren gibt das Unternehmen mit 45:1 an; ein für DRAM optimierter High-k-Metal-Gate-Prozess habe die Höhe des Kernzellenfelds auf 6.762 Nanometer gesenkt. Umgerechnet auf 8-Gb-Produkte steige die Zahl der Chips pro Wafer gegenüber der vierten Generation um mindestens 50 Prozent. Luo Xiaodong, Vizepräsident von CXMT und Leiter des Marketingzentrums, sagte laut Seoul Economic Daily, die Prozessfähigkeit des Unternehmens habe „ein Niveau erreicht, das mit den fortschrittlichsten derzeit in Serie gefertigten Nodes gleichauf liegt“.

Der Zeitpunkt ist bedeutsam, weil Speicher derzeit knapp und teuer ist. Nach TrendForce-Zahlen, die die Global Times zitiert, stieg der weltweite DRAM-Branchenumsatz im zweiten Quartal 2026 gegenüber dem Vorquartal um 59,5 Prozent, während der Ausbau der Kapazitäten der von KI-Infrastruktur getriebenen Nachfrage weiter hinterherhinkt. Am schnellsten gewachsen ist CXMT bei Standard-DRAM, einem Segment, dem die größeren Wettbewerber weniger Gewicht geben: TrendForce sah das Unternehmen im zweiten Quartal mit 9,5 Prozent des DRAM-Umsatzes weltweit auf Rang vier hinter Samsung Electronics, SK hynix und Micron. Der erfahrene Telekom-Analyst Ma Jihua sagte der Global Times, der Markt werde weiterhin von wenigen Anbietern beherrscht; deshalb werde der technische Fortschritt eines zusätzlichen Anbieters genau beobachtet, und mehr heimische Produktion verschaffe Geräteherstellern zusätzliche Bezugsquellen.

Offen bleibt einiges. Die Seoul Economic Daily wies darauf hin, dass sich die 11,95 Nanometer auf eine einzelne Kernstruktur beziehen und sich deshalb nur schwer direkt mit den Prozessbezeichnungen der „12-Nanometer-Klasse“ vergleichen lassen, die Samsung, SK hynix und Micron für ihre eigenen Nodes verwenden. Die Angabe zu den Chips pro Wafer zählt zudem alle Chips, bevor defekte aussortiert werden – das ist nicht die Ausbeute, die über die tatsächlichen Lieferungen entscheidet. Weder zur Ausbeute noch zum monatlichen Wafer-Ausstoß der G5-Linie machte CXMT Angaben. Diese Zahlen, nicht das Abstandsmaß, werden bestimmen, wie viel G5-Speicher in Telefonen landet.