CXMT produit en série sa DRAM G5 en 11,95 nanomètres

Le fabricant chinois de mémoires ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé le 20 septembre 2026 que sa plateforme DRAM de cinquième génération, baptisée G5, est entrée en production de masse. L'annonce a été faite lors de la Convention mondiale de la fabrication 2026, à Hefei, dans la province chinoise orientale de l'Anhui, et l'entreprise en a confirmé les détails au Global Times. Deux produits LPDDR5X issus de cette plateforme sont déjà livrés en volume : des puces de 24 gigabits en boîtiers 496 et 245 billes, destinées aux smartphones de milieu et de haut de gamme ainsi qu'à l'électronique grand public portable. Chaque puce offre 50 pour cent de capacité de plus que les composants de 16 Gb de la génération précédente.

Selon CXMT, G5 atteint un demi-pas de zone active de 11,95 nanomètres dans le réseau mémoire grâce au quadruple patterning auto-aligné (SAQP), une technique qui forme les motifs fins par expositions répétées plutôt qu'en une seule passe. L'entreprise donne un rapport d'aspect du condensateur de réseau de 45:1 et indique qu'un procédé de grille métallique à haute permittivité optimisé pour la DRAM a ramené la hauteur du réseau de cellules à 6 762 nanomètres. Ramené à des produits équivalents 8 Gb, le nombre de puces par galette augmente d'au moins 50 pour cent par rapport à la quatrième génération. Luo Xiaodong, vice-président de CXMT et responsable de son centre marketing, a déclaré, selon le Seoul Economic Daily, que la capacité de procédé de l'entreprise avait « atteint un niveau comparable à celui des nœuds les plus avancés aujourd'hui produits en série ».

Le calendrier compte, car la mémoire est à la fois rare et chère. Selon TrendForce, cité par le Global Times, le chiffre d'affaires mondial de la DRAM a bondi de 59,5 pour cent d'un trimestre sur l'autre au deuxième trimestre 2026, l'offre restant en retrait d'une demande tirée par l'intelligence artificielle. C'est dans la DRAM de grande diffusion, segment délaissé par ses grands concurrents, que CXMT a le plus progressé : TrendForce plaçait l'entreprise au quatrième rang mondial avec 9,5 pour cent du chiffre d'affaires DRAM au deuxième trimestre, derrière Samsung Electronics, SK hynix et Micron. Ma Jihua, analyste chevronné des télécommunications, a expliqué au Global Times que le marché reste dominé par une poignée de fournisseurs, d'où l'attention portée aux avancées d'un acteur supplémentaire, et qu'une production nationale accrue offre aux fabricants de nouvelles sources d'approvisionnement.

Plusieurs points restent flous. Le Seoul Economic Daily a souligné que les 11,95 nanomètres décrivent une structure de cœur précise, difficilement comparable aux appellations de « classe 12 nanomètres » de Samsung, SK hynix et Micron. Le chiffre des puces par galette comptabilise par ailleurs le total avant tri des puces défectueuses, ce qui diffère du rendement qui détermine les livraisons réelles ; CXMT n'a communiqué ni rendement ni production mensuelle de galettes pour la ligne G5. Ce sont ces chiffres, et non la mesure du pas, qui décideront de la quantité de mémoire G5 qui arrivera dans les téléphones.