CXMT produce en serie su DRAM G5 de 11,95 nanómetros

El fabricante chino de memorias ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció el 20 de septiembre de 2026 que su plataforma DRAM de quinta generación, llamada G5, ha entrado en producción en serie. El anuncio se hizo en la Convención Mundial de Manufactura 2026 celebrada en Hefei, en la provincia oriental china de Anhui, y la empresa confirmó los detalles al Global Times. Dos productos LPDDR5X basados en la plataforma ya se entregan en volumen: chips de 24 gigabits en encapsulados de 496 y 245 bolas, pensados para teléfonos de gama media y alta y para electrónica de consumo portátil. Cada chip ofrece un 50 por ciento más de capacidad que las piezas de 16 Gb de la generación anterior.

Según CXMT, G5 alcanza un semipaso de área activa de 11,95 nanómetros en la matriz de memoria mediante patronado cuádruple autoalineado (SAQP), una técnica que forma estructuras finas con exposiciones repetidas en lugar de una sola pasada. La compañía sitúa la relación de aspecto del condensador de la matriz en 45:1 y afirma que un proceso de puerta metálica de alta constante dieléctrica optimizado para DRAM redujo la altura de la matriz de celdas a 6.762 nanómetros. Convertido a productos equivalentes de 8 Gb, el número de chips por oblea sube al menos un 50 por ciento respecto a su plataforma de cuarta generación. Luo Xiaodong, vicepresidente de CXMT y responsable de su centro de marketing, dijo, según el Seoul Economic Daily, que la capacidad de proceso de la empresa había “alcanzado un nivel a la par de los nodos más avanzados que hoy están en producción en serie”.

El momento importa porque la memoria escasea y está cara. Según cifras de TrendForce citadas por el Global Times, los ingresos mundiales de la industria DRAM subieron un 59,5 por ciento en el segundo trimestre de 2026 frente al anterior, con una oferta que sigue por detrás de la demanda de infraestructura de inteligencia artificial. CXMT ha crecido sobre todo en DRAM de consumo masivo, el segmento al que sus rivales mayores han restado prioridad: TrendForce colocó a la empresa en el cuarto puesto mundial con un 9,5 por ciento de los ingresos de DRAM en el segundo trimestre, por detrás de Samsung Electronics, SK hynix y Micron. Ma Jihua, veterano analista de telecomunicaciones, dijo al Global Times que el mercado sigue dominado por un puñado de proveedores, por lo que se vigilan de cerca los avances de cualquier actor adicional, y que más producción nacional da a los fabricantes opciones extra de suministro.

Quedan varios puntos sin aclarar. El Seoul Economic Daily señaló que los 11,95 nanómetros describen una estructura de núcleo concreta, difícil de comparar con los nombres de proceso de “clase 12 nanómetros” de Samsung, SK hynix y Micron. La cifra de chips por oblea cuenta el total antes de descartar los defectuosos, que no es el rendimiento que determina los envíos reales, y CXMT no divulgó rendimientos ni producción mensual de la línea G5. Serán esas cifras, y no la medida del paso, las que decidan cuánta memoria G5 llega a los teléfonos.