CXMT 11,95 nm G5 DRAM'de seri üretime geçti

Çinli bellek üreticisi ChangXin Memory Technologies (CXMT), beşinci nesil DRAM platformu G5'in seri üretime geçtiğini 20 Eylül 2026'da duyurdu. Duyuru, Çin'in doğusundaki Anhui eyaletinin Hefei kentinde düzenlenen 2026 Dünya İmalat Kongresi'nde yapıldı; şirket ayrıntıları Global Times'a doğruladı. Platform üzerine kurulu iki LPDDR5X ürünü hâlihazırda hacimli üretimde: 496 ve 245 toplu paketlerde 24 gigabitlik yongalar, orta ve üst segment akıllı telefonlar ile taşınabilir tüketici elektroniği için tasarlandı. Her yonga, önceki neslin 16Gb'lik parçalarına göre yüzde 50 daha fazla kapasite taşıyor.

CXMT'ye göre G5, bellek dizisinde 11,95 nanometrelik aktif alan yarı adımına kendinden hizalı dörtlü desenleme (SAQP) ile ulaşıyor; bu yöntem ince yapıları tek geçiş yerine tekrarlanan pozlamalarla oluşturuyor. Şirket, dizi kondansatörünün en-boy oranını 45:1 olarak verdi ve DRAM için optimize edilmiş yüksek-k metal kapı sürecinin çekirdek hücre dizisi yüksekliğini 6.762 nanometreye indirdiğini belirtti. 8Gb eşdeğeri ürünlere çevrildiğinde, gofret başına düşen yonga sayısının dördüncü nesil platforma kıyasla en az yüzde 50 arttığını açıkladı. Seoul Economic Daily'ye göre CXMT başkan yardımcısı ve pazarlama merkezi başkanı Luo Xiaodong, şirketin süreç kabiliyetinin “bugün seri üretimde olan en gelişmiş düğümlerle aynı seviyeye ulaştığını” söyledi.

Zamanlama önemli, çünkü bellek şu sıralar hem kıt hem pahalı. Global Times'ın aktardığı TrendForce verilerine göre küresel DRAM sektörü geliri 2026'nın ikinci çeyreğinde bir önceki çeyreğe kıyasla yüzde 59,5 arttı; arz artışı, yapay zekâ altyapısının sürüklediği talebin gerisinde kalmayı sürdürüyor. CXMT en hızlı büyümeyi, büyük rakiplerinin önceliğini azalttığı standart DRAM segmentinde yakaladı: TrendForce şirketi ikinci çeyrekte yüzde 9,5'lik DRAM geliri payıyla Samsung Electronics, SK hynix ve Micron'un ardından dünya dördüncüsü olarak gösterdi. Telekom sektörünün deneyimli analistlerinden Ma Jihua, Global Times'a pazarın hâlâ az sayıda tedarikçinin elinde olduğunu, bu nedenle yeni bir oyuncunun teknik ilerlemesinin yakından izlendiğini ve yerli üretimin artmasının cihaz üreticilerine ek tedarik seçenekleri sunduğunu söyledi.

Belirsiz kalan noktalar var. Seoul Economic Daily, 11,95 nanometrenin tek bir çekirdek yapıyı tarif ettiğini ve bu nedenle Samsung, SK hynix ile Micron'un kendi düğümleri için kullandığı “12 nanometre sınıfı” süreç adlarıyla doğrudan karşılaştırılmasının güç olduğunu belirtti. Gofret başına yonga rakamı ise kusurlu olanlar ayıklanmadan önceki toplam yongayı sayıyor; bu, gerçek sevkiyatı belirleyen verimle aynı şey değil. CXMT ne verim ne de G5 hattının aylık gofret üretimi için rakam paylaştı. Telefonlara ne kadar G5 belleğin ulaşacağını, adım ölçüsünden çok bu rakamlar belirleyecek.